Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V
Небуферизованный модуль DIMM
Розница:4 735 руб.
В наличии: 1584
Технические характеристики:
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 38 |
CAS Latency (CL) | 10 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 10 |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Общий объем | 4 |
Объем одного модуля | 4 |
Радиатор | 1 |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM |
Частота | 1866 |